Електроніка. – 2005. – №532

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47491

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень в області технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка” : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. – № 532 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 186 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст


1
3
15
21
24
28
33
42
48
54
60
65
68
74
81
85
90
99
105
112
117
126
129
133
138
147
153
160
164
170
178
184

Content


1
3
15
21
24
28
33
42
48
54
60
65
68
74
81
85
90
99
105
112
117
126
129
133
138
147
153
160
164
170
178
184

Browse

Search Results

Now showing 1 - 7 of 7
  • Thumbnail Image
    Item
    Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”
    Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.
  • Thumbnail Image
    Item
    Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка
    Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.
  • Thumbnail Image
    Item
    Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Островський, І. П.; Павловський, Ю. В.; Tsmots’, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Ostrovskii, I. P.; Pavlovskii, Yu. V.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними. Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.
  • Thumbnail Image
    Item
    Нестійкість металевої підгратки SnTe
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Хандожко, О. Г.; Слинько, Є. І.; Khandozhko, O. G.; Slynko, E. I.; Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича; Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України
    Встановлена залежність ширини і форми ліній ЯМР від концентрації дірок в SnTe. В області концентрацій p<1,8∙1020см-3 спостерігається різке звуження ліній 119Sn і 125Te та ускладнення їхньої форми. Поява в спектрах ЯМР 119Sn лоренцової складової вказує на “розм'якшення” металевої підґратки внаслідок рухливості атомів олова.
  • Thumbnail Image
    Item
    Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Єрохов, В. Ю.; Yerokhov, V. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Показана перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті моделі текстур як найважливіших структурних елементів ФЕП. Охарактеризовані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей з використанням макропористих кремнієвих текстур. Застосування текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, з використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). При використанні макропористого кремнію, вирощеного хімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП в діапазоні 400–1000 нм зменшується до 17 %