Електроніка. – 2004. – №513
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35077
Browse
Search Results
Item Фотопровідність CdTe, легованого алюмінієм(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Пігур, О. М.; Цюцюра, Д. І.; Британ, В. Б.; Шуптар, Д. Д.; Крилюк, С. Г.Проведено дослідження фотопровідності і фотолюмінесценції CdTe:Al, вирощеного методом сублімації. Проаналізовано процес рекомбінації носіїв заряду в залежності від температури. Із вимірювань фотолюмінесценції при 5 К отримано спектр домішок і дефектів за участю А1. Відмічено особливості фотопровідності CdTe:Al, пов’язані з величиною і напрямком електричного поля. The researches of photoconductivity and photoluminescence of CdTe:Al, brought up by a method of sublimation are carried out. The process of recombination of carriers of a charge in depending un temperature is analysed. A spectrum of impurity and defects with participation of A1 is received from measurements of photoluminescence at 5 K. The special features of photoconductivity of CdTe:Al, connected with size and direction of an electrical field, are marhed.Item Про домішково-дефектні стани В CdxZnlxTe, вирощених у різних умовах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Британ, В. Б.; Цюцюра, Д. І.; Пігур, О. М.; Ковачьчук, І. В.; Денис, Р. В.; Кричюк, С. Г.Проведені дослідження, пов’язані з технологією вирощування CdxZni_xTe, та аналіз домішково-дефектного стану кристалів CdxZni_xTe, вирощених методом сублімації у вакуумі, у водні із шихти, синтезованої у водні, а також у вакуумі із шихти, синтезованої у водні. За спектрами фотолюмінісценції, отриманих при 5 К найменш дефектними виявились кристали CdxZni_xTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні. The paper deals with the investigation of CdxZni_xTe growth technology and analysis of a impurity and defective condition of crystals CdxZni_xTe brought up by a method of sublimation in vacuum, at hydrogen from charge, synthesized in hydrogen and in vacuum from charge synthesized in hydrogen is carried out. The crystals CdvZni_vTe, brought up from charge, synthesized in hydrogen are the less defective behind the spectrum of photoluminescence received at 5 K least defective have appeared.