Електроніка. – 2013. – №764

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/23922

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2013. – № 764 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 160 с. : іл.

Browse

Start date: 2013Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 10 of 26
  • Thumbnail Image
    Item
    Модель поведінки програмно-апаратних електронних систем
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Озірковський, Л. Д.; Панський, Т. І.
    Запропоновано модель для оцінювання надійності програмно-апаратних електронних систем на етапі експлуатації. Вона враховує поведінку електронних систем у разі появи відмов і збоїв апаратних засобів та збоїв програмного забезпечення. In this paper a model for assessing the reliability of hardware-software electronic systems during their operation cycle is proposed. It takes into account the behaviour of electronic systems at the appearance of hardware faults and failures as well as software failures.
  • Thumbnail Image
    Item
    Mагнітні властивості ансамблю наночастинок маґгеміту, покритих функціональною полімерною оболонкою
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Демченко, П.; Мітіна, Н.; Заіченко, A.; Неделько, Н.; Левінська, С.; Славська-Ванєвська, А.; Длужевський, П.; Білська, M.; Убізський, C.
    Магнітні наночастинки маґгеміту (γ-Fe2O3) були синтезовані з використанням поверхнево-активних поліфункціональних олігопероксидів як нанореакторів для отримання ядер з подальшою їх полімеризацією. Для дослідження отриманих наночастинок типу магнітне ядро – полімерна оболонка використовували методи рентгенівської дифракції, просвічуючої електронної мікроскопії та вимірювання температурних і польових залежностей намагніченості. Визначено, що магнітне ядро наночастинок складається з кристалічного маґгеміту сфероподібної форми з середнім діаметром близько 10 нм. Отримані наночастинки проявляють суперпарамагнітні властивості за кімнатної температури. При охолодженні їхній напрямок намагніченості блокується за температури 170 К. Частинки повністю покриті функціональною полімерною оболонкою, що запобігає їхній агрегатизації та дає змогу використовувати їх у біомедичних технологіях. Magnetic nanoparticles of maghemite γ-Fe2O3 were synthesized via template synthesis in the presence of functional oligoperoxide surfactants and further graft-polymerization initiated from their surface. X-ray diffraction, transmission electron microscopy and measurement of temperature and field dependences of magnetization were used to characterize the obtained core-shell nanoparticles. It was found that magnetic core of nanoparticles consists of crystalline maghemite phase of spherical shape with avarage diameter about 10 nm. The obtained particles are superparamagnetic at room temperature. During cooling their magnetisation direction is blocked at temperature 170 K. The particle are fully enveloped by functional polymer shell that prevents their agreagation and allows application themin biomedical technologies.
  • Thumbnail Image
    Item
    Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Фадєєв, С. В.; Берченко, М. М.
    За допомогою методу фазових рівноваг побудовано діаграми фазових рівноваг оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe за кімнатної температури та температури 673 К. Оцінено хімічний склад границі розділу напівпровідник – власний оксид за цих температур. Методом рентгенівської дифракції досліджено динаміку процесу утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину. Встановлено, що основною сполукою, що утворюється на початкових етапах термічного оксидування Pb1-xSnxTe, є орторомбічний дилід трителурат – Pb2Te3O8 . To clarify the behaviour of thermally oxidized Pb1-xSnxTe the phase equilibrium diagram was calculated taking into account the change of the standard Gibbs energies of formation with the temperature up to 673 K.The X-ray diffractometry (XRD) studies of thermally oxidized Pb1-xSnxTe are summarised. It was established that the main compound formed at the initial stages of thermal oxidation Pb1-xSnxTe is the orthorhombic dilead tritellurate – Pb2Te3O8.
  • Thumbnail Image
    Item
    Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Герман, І. І.; Махній, В. П.; Черних, О. І.
    Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.
  • Thumbnail Image
    Item
    Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
    Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.
  • Thumbnail Image
    Item
    Збудження об’ємних акустичних хвиль зустрічно-штирковим перетворювачем у кристалах
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Винник, Д. М.; Решотка, О. Г.; Сугак, Д. Ю.; Ваків, М. М.
    Розглянуто теорію збудження зустрічно-штирковим перетворювачем (ЗШП) об’ємних акустичних хвиль з поверхні п’єзоелектричних кристалів . Одержані в явному вигляді вирази для величини зміщень і деформацій в об’ємних акустичних хвилях. З одержаних виразів випливає, що ЗШП можна розглядати як лінійну акустичну антену. З аналізу умов збудження об’ємних акустичних хвиль слідує, що у процесі збудження цих хвиль за допомогою ЗШП на високих частотах можуть виникати одночасно як об’ємні хвилі, що поширюються в глибину кристала, так і об’ємні хвилі (гармоніки), що розповсюджуються паралельно до поверхні кристала, а також поверхневі акустичні хвилі (гармоніки). Це слід враховувати під час конструювання таких пристроїв, які працюють на об’ємних акустичних хвилях. The paper presents the theory of excitation of interdigital transducer bulk acoustic waves from the surface of the piezoelectric crystal. The results obtained in explicit expressions for the displacements and strains in the excited bulk acoustic waves. From these expressions, it follows that the IDT can be regarded as a linear acoustic antenna. From the analysis of the excitation conditions of bulk acoustic wave is determined that the excitation of these waves by IDT at high frequencies can occur at the same time as bulk waves that propagate inside the crystal, as well as body waves (harmonics) that extend parallel to the surface of the crystal, as well as surface acoustic wave (harmonic). This fact should be taken into account in the design of devices, which run on bulk acoustic wave.
  • Thumbnail Image
    Item
    Процеси перезарядження йонів Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під час високотемпературних відпалів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Мартинюк, Н. В.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. І.
    У роботі подано результати вивчення процесів перезарядження йонів Yb3+ ↔ Yb2+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під впливом високотемпературних відпалів. Експериментально одержано кінетики окиснення та відновлення, встановлено якісні відмінності у перебігу процесів окиснення Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках та об'ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зроблено аналіз причин цих відмінностей. Виявлено істотний вплив структури приповерхневого шару зразка нашвидкість процесу окиснення. In this communication we report the results of our study of the Yb3+ ↔ Yb2+ recharge processes in Yb:Y3Al5O12 epitaxial films under high temperature annealing. Oxidation and reduction kinetics have been experimentally obtained. It was revealed that recharge process Yb2+ ® Yb3+ differs in films from that in bulk crystals, and reasons of such distinction have been analyzed. Influence of sample surface structure on the rate of oxidation process was found to be significant.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив розчинених газів на люмінесценцію води
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Бордун, І. М.; Пташник, В. В.
    Досліджено люмінесценцію дистильованої води з різним вмістом газів та хімічно активних радикалів. Встановлено, що люмінесценція зумовлена низкою процесів: випромінюванням електронно-збудженого радикалу ОН●, продуктів реакції іонів та радикалів з синглетним киснем O2(a1Δg), випромінюванням димера з молекул O2(a1Δg), дезактивацією коливально-збудженої Н2О, неконтрольованими органічними домішками. Зростання вмісту газів збільшує інтенсивність люмінесценції води. Імовірною причиною цього є специфічні властивості межі розділу фаз вода-газова суміш. The luminescence of distilled water with different content of gases and chemically active radicals was investigated. Its was established that luminescence is caused by several processes: radiation of electron-excited radical ОН●, reaction products of ions and radicals from singlet oxygen O2(a1Δg), emission from the dimer molecules O2(a1Δg), deactivation vibrationallyexcited Н2О, uncontrollable organic impurities. Increase in gas content increases the luminescence intensity of water. The probable reason for this is the specific properties of the interfacial water-gas mixture.
  • Thumbnail Image
    Item
    Aналіз ефективності придушення електромагнітних завад у холлівських сенсорних пристроях
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Ільканич, В. Ю.; Марусенкова, Т. А.
    Розглянута проблема впливу електромагнітної завади на відтворюваність вимірювання сигналу в холлівських сенсорних пристроях. Спосіб компенсації електромагнітної завади забезпечується двотактним вимірюванням сигналу при протилежних напрямах імпульсів струму живлення холлівських сенсорів. Встановлена залежність ефективності двотактного режиму роботи від затримки між суміжними вимірюваннями. Експериментальними дослідженнями показано, що за наявності електромагнітної завади використання двотактного режиму забезпечує підвищення відтворюваності вимірювання в 6–8 разів. The work gives an analysis of electromagnetic noise influence on signal repeatability in Hall sensor devices. The electromagnetic noise compensation is based on signal two tact mode measurements at reverse direction of Hall sensor supply current. The functional dependence of two tact mode efficiency on time delay between serial measurements is described. It was experimentally shown that two tact mode of electromagnetic noise compensation provides an efficiency improving by 6..8 times.
  • Thumbnail Image
    Item
    Кінетичні властивості напівпровідникових кристалів з ізотропними законами дисперсії
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Буджак, Я. С.
    Показано, що важливі кінетичні властивості провідних кристалів спричинені умовами дрейфу носіїв зарядів міжвузлями кристалічної ґратки. In this paper it is shown that the important kinetic properties of the conducting crystals are determined by the conditions of the charge carriers drift throw the interstitials of the crystal lattice.