Електроніка. – 2001. – №430

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42613

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковані результати науково-технічних досліджень в галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 430 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 128 с. : іл.

Browse

End date: 2001Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 10 of 23
  • Thumbnail Image
    Item
    Титульний аркуш до Вісника "Електроніка" № 430
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001)
  • Thumbnail Image
    Item
    Характеристика відбивного розряду в комірці Пеннінга з секційним анодом
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Шандра, З. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
    У роботі досліджено розряд в комірці Пеннінга, в якій секційний анод розташований по центру розрядного проміжку між двома круглими катодами. Показано, що зміною потенціалу секцій анода можна впливати на вид вольт- амперної характеристики розряду. Проведено дослідження розподілу потенціалу між електродами комірки Пеннінга для різних підключень секцій анода, на основі яких зроблена спроба опису механізму розряду та пояснення особливостей його вольт-амперної характеристики. This work is dedicated to studies of the discharge in Penning's cell, in which sectional anods is placed in the centre of discharge gap between two round cathodes. It is shown, that by anode sections potential varying it is possible to influence on volt¬ampere characteristic of the discharge. The studies of potential disribution between the cell electrodes were carried out for different connections of anode sections. On the base of this studies the attempt to discribe the discharge gear and to explain the features of volt-ampere characteristics.
  • Thumbnail Image
    Item
    Електропровідність монокристалів дийодиду свинцю в поляризаційній комірці Вагнера
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Калуш, О. З.; Луцький державний технічний університет
    Досліджено електропровідність монокристалів PbJ2 у постійному електричному полі за методом поляризаційної комірки Вагнера. Показано, що при значеннях менших від 0,9 В поляризаційної напруги, прикладеної до комірки (-) Рb/PbJ2/C(+), може бути використана теорія Вагнера. Знайдено повну і електронно-діркову складові провідності монокристалів дийодиду свинцю в області температур 293 - 623 К. The conductivity characteristics PbJ2 single crystals were investigated using the Wagner cell polarization technique. It was found that when the (-)Pb/PbJ2/C(+), cell polarization potential less 0,9 V obeyed the Wagner equation. The determine total and electron-hole conductivity component of lead iodine single crystals in 293-623 K temperature region.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання поверхневого розподілу спектра Фур’є для систем нейровізуалізації біопотенціалів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Мандзяк, Г. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розроблено методику моделювання алгоритмів для визначення поверхневого розподілу спектра Фур’є електроенцефалографічних (ЕЕГ) сигналів та про¬ведення процедури ЕЕГ-картування для візуалізації результатів аналізу біопотенціалів мозку в електронних діагностичних системах. Моделювання проводили в середовищі ППП MATHCAD з використанням програми WINSURF для побу¬дови спектрально-топографічних карт ЕЕГ-сигналів. The method of algorithm simulation for determination of surface Distribution of Fourier spectrum for electroencephalographic signals (EEG) and process execution of EEG-mapping for visualization of results of brain biopotentials’ analysis are developed. Simulations is carried out in MathCAD software with help of WinSurf program for creation of spectral and topographic maps of EEG-signals.
  • Thumbnail Image
    Item
    Релаксаційні струми деполярзації в ортогерманаті вісмуту
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бордун, О. М.; Бордун, І. М.; Харамбура, С. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено релаксаційні струми деполярзації в монокристалах, кераміках і тонких плівках Bi4Ge3O12 в температурному інтервалі 80 - 295 K. Визначено часи релаксації та енергії активації деполяризації. Встановлено, що при зростанні дефектності кристалічної структури збільшується значення релаксаційного струму і зменшується енергія активації деполяризації. The relaxation currents of depolarization in single crystals, ceramics and thin films Bi4Ge3O12 was investigated in temperature region 80 - 295 K. The relaxation times and energy activation of depolarization was determinated. At increase of defects of crystalline structure the value of relaxation current increased and value of energy activation of depolarization decreased.
  • Thumbnail Image
    Item
    Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бончик, О. Ю.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Тростинський, І. П.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Експериментально досліджено особливості морфології поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені резуль¬тати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (100), (111), (110), а також на площинах, вирізаних під кутом 6° до площини (100) і на аморфних шарах В203, нанесених на поверхню кремнію. The peculiarities of Si surface in the zone of second and millisecond laser pulses effect have been investigated experimentally. The outcomes of the microscopic studies of the periodical structures formed at the surfaces with crystallographic orientation (100), (111), (100) and at the surfaces cut at the angle 6° to the plane (100) as well as on amorphous layers B203 deposited on the Si surface are presented.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу імпульсного лазерного випромінювання на судинну патологію при поверхневому охолодженні шкіри
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Демкович, І. В.; Рудницький, І. В.; Національний університет “Львівська політехніка”
    У цій роботі було проведене математичне моделювання розповсюдження теплової енергії у живій тканині, що містить доброякісну судинну патологію. Запропонований метод моделювання поведінки живої тканини з врахуванням її гетерогенних властивостей під дією лазерного випромінювання. Також розгля¬нута можливість впливу на судинну патологію з метою її лікування при певних спектральних, енергетичних і часових параметрах лазерного випромінювання. In the work was conducted mathematical modeling of spreading a thermal energy in alive tissue, containing vascular pathology. Is offered the method of modeling of alive tissue behavior under influence of laser radiation with taking into account heterogeneous structure of tissue. Also is considered possibility of curing impact on vascular pathology under certain spectral, energetic and temporal characteristics of laser radiation.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості структурних та магнітних властивостей сплавів систем Si - Ni та Ge - Ni, багатих на відповідно кремній і германій
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Цмоць, В. М.; Штим, B. C.; Павловський, Ю. В.; Спільна науково-дослідна лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки АН та Міністерства освіти і науки України при Дрогобицькому державному педагогічному університеті ім. Ів. Франка.
    У роботі наведені результати комплексного дослідження Si-Ni і Ge-Ni полі- кристалічних сплавів, багатих на відповідно кремній і германій. Шляхом вимі¬рювання статичної магнітної сприйнятливості (МС, $) і мікротвердості (Нц), проведення рентгенівського та мікроструктурного аналізів цих сплавів показано залежність МС і мікроструктури від термічних обробок. Інтерпретація одержаних результатів проводиться з врахуванням наявності у зазначених сплавах донорно - акцепторних комплексів і магнітного впорядкування електронних спінів на дислокаційних структурах. In the present paper the results of complex investigation of Si-Ni and Ge-Ni polycrystals alloys rich in silicon and germanium respectively are presented. Measuring a static magnetic susceptibility ^S, $) and microhardnesses (Н), realizing x-ray and microstructural analyses of these alloys shows the dependence of МS and micro¬structures on the thermal treatment. Interpretation of the obtained results is carried out accounting for the presence in the above mentioned alloys of donor-acceptor complexes and magnetic ordering of electronic spins on dislocation structures.
  • Thumbnail Image
    Item
    Спектр носіїв δ-легованих кремнієм шарів GaAs (100)
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Рудницький, С. В.; Пелещак, P. M.; Дрогобицький державний педагогічний університет ім. І. Франка
    У роботі розв’язана задача на знаходження енергетичного спектра GaAs періодично δ-легованого кремнієм. Розв’язання виконане в межах методу дефор¬маційного потенціалу. Потенційний профіль моделювався δ-функцією Дірака. Отримано кількісні залежності параметра деформації (emech) для GaAs і Si від тов¬щини δ-шару (Lw) та міжшарової відстані (Ь). Ці залежності виявилися спадними з ростом Lw та зростаючими з ростом Ь. Пояснено наявність у спектрах фотолю¬мінесценції δ-лінії в діапазоні hv = 1,47 - 1,48 еВ, зокрема, при Lw= 10 А досягнуто задовільного збігу з експериментальними даними з фотолюмінесценції. Energetical spectra of δ-doped GaAs by Si have been solved. The solve has been studied by deformation’s potencial method. We chosen Dirack’s δ-function for potential profile. It is found Lw- (thickness of δ-layer) and b- (thickness of GaAs layer) dependences of deformation’s parametrs (e mech), they decrease when Lw increases and increase when b increases. It is found Lw- and b- dependences of energetical spectra. They decrease for electron’s level and decrease for hole’s level. It is explain appearance in photoluminescence spectra δ-band near hv= 1.47*1.48eV. We received results similar to experi¬ment’s near Lw= 10А.
  • Thumbnail Image
    Item
    Ma+[100] і Ma+[110] центри забарвлення в кристалах CAF2-O2- і SRF2-O2-
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дубельт, С. П.; Качан, С. І.; Чорній, З. П.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Вперше пояснені особливості зміни спектрів оптичного поглинання агрегатних центрів забарвлення в кисневовмісних кристалах флюоритів: при збільшенні температури опромінення кристалів (Т > Tr, де Tr - температура реорієнта- ції складних центрів) відбувається зсув довгохвильової компоненти спектра (Maз+-смуги) в короткохвильову область. Перетворення Ma+центрів (низькотемпературних) у Mа+[110]-центри (високотемпературні) пов’язані із термоактивованим переходом аніонних вакансій фтору у другу координаційну сферу відносно домішкового іона кисню. For the first time peculiorities of spectrum optical absorption aggregate colour centers changings in oxygen-containing crystals of fluorities are explained. With rising of temperature of x-raying of crystals (T > Tr, where Tr - temperature of reorientation of compound centers) occurs the displacement of the long-wave component of spectrum (MA3+-band) in short-wave region. Transition of MA+[100] (low-temperatures) - centers into MA+[110] (high-temperatures) centers are connected with a passage of anion vacancies in the second coordinative sphere concerning to impuritious ion of oxygen.