Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
4 results
Search Results
Item Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет “Львівська політехніка”Вивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем.Item Моделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Дружинін, А. О.; Панков, Ю. М.; Матвієнко, С. M.Наведено комп’ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС у мікрокристалах кремнію р-типу провідності при нестаціонарних температурах та тисках. Результати можна використати для проектування напівпровідникових сенсорів механічних величин з оптиміальними параметрами при роботі в нестаціонарних режимах. The computer model of processes which occur in hydrostatic pressure sensor on the base intermittent of the piezo-seebeck effect in p-type silicon whiskers is presented. The results may be used for designing the semiconductor sensors of mechanical values with optimum parameters under nonsteady-state conditions.Item Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Буджак, Я. С.; Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated.Item Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.Описується зміст теоретичних, експериментальних, технологічних науководослідних робіт із метою створення українського промислового мікроелект- ронного сенсора тиску. Обговорюється використання лазерної рекристалізації в технології сенсорів як метода покращання характеристик КНІ п’єзорезисторів. The content of R&D works (theory, experimental, design and technology) performed in the «Lviv Polytechnic» State University in order to develop commercial Ukrainian microelectronic SOI pressure sensors is presented. The use of the microzone laser recrystallisation in sensor technology as a method to obtain improved performances of SOI piezoresistor is discussed.