Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
Search Results
Item Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Малик, О. Л.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехника”Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.Item Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини.Item Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет “Львівська політехніка”Вивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем.Item Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Кеньо, Г. В.; Малик, О. П.; Національний університет “Львівська політехніка”Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.