Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
16 results
Search Results
Item Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.Item Феромодуляційний перетворювач магнітного поля на основі епітаксійної плівки ферогранату(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Убізський, С. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"Розглядається феромодуляційний парногармонічнй перетворювач магнітного поля (ферозонд) з циркулярним збудженням, що використорує як активне середовище (111)-орієнтовану епітаксійну плівку ферогранату (ЕПФГ) з намагніченістю, близькою до площини плівки та проводиться аналіз гармонічного складу його індуктивного відкликання на основі феноменологічної теорії пере магнічування такої ЕПФГ. Визначено та обґрунтовано умови вимірювання просторових складових поля, а також показано можливість використання схеми ферозонду для вимірювання властивостей магнітної анізотропії ЕПФГ. The ferromodulation even-garmonic magnetic field transducer (fluxgate) with circular excitation that uses as an active medium the (111) oriented epitaxial iron garnet film (EIGF) having magnetization close to the film plane is considered in the work and an analysis of the garmonic content of its inductive respond is carried out on the base of phenomenologic theory of magnetization reversal of that film. Conditions of spatial components of magnetic field measurements are established and grounded. A possibility to apply the fluxgate scheme for measurements of the EIGF’s magnetic anisotropy parameters is shown.Item Моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, O. A.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.Розглянуті монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та іттербіем (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогою епітаксійно нарощеного шару Cr4+:YAG. Визначаються оптимальні з погляду досягнення максимальної енергії в лазерному ім¬пульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера (товщини абсорбера та кон¬центрації фототропних центрів Сг4+) та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала Об¬грунтована можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні як генеруючого середовища кристала Yb:YAG порівняно із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.Item Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Бурий, O. A.; Потера, П.; Матковський, А. О.Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.Item Епітаксійні гранатові структури для твердотільних лазерів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. М.; Матковський, А. О.; Мельник, С.С.; Сиворотка, І. І.Описані дослідження в галузі розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання як активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться групою Відділу фізики і технології монокристалічних матеріалів НВП “Карат” та Лабораторії фізики оксидних кристалів Центру “Кристал” Національного університету “Львівська політехніка” з 1997 p.. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають у технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також способи їх вирішення. Внаслідок досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробу¬вання яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.Item Життєвий і творчий шлях А. О. Матковського(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Сугак, Д. Ю.Андрій Орестович Матковський 31.05.1954 - 10.02.2004Item Вплив різних факторів на вимірювання магнітного поля парногармонічним перетворювачем з обертальним перемагнічуванням монокристалічної плівки ферогранату(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Убізський, С. Б.; Павлик, Л. П.; Климович, Є. М.Здійснено феноменологічне дослідження парногармонічного перетворювача магнітного поля із циркулярним збудженням монокристалічної плівки ферогранату як чутливого елемента з метою виявлення впливу неідеальності геометрії конструкції перетворювача та неточності кристалографічної орієнтації чутливого елементу на точність вимірювання магнітного поля. Встановлено, що відхилення площини обертання магнітного поля збудження від площини чутливого елемента та розорієнтації останнього від площини (111) є найсуттєвішими для вимірювального перетворювача. Зроблено висновки про можливість уникнення негативного впливу вказаних факторів та запропоновано відповідний спосіб. A phenomenological investigation of the even-harmonics magnetic field transducer with a circular excitation of the single-crystalline iron garnet film as its sensing element is performed. The aim was revealing a possible influence of non-ideality of transducer’s construction and inaccuracy of the sensing element crystallographic orientation on magnetic field measurements. It was established that the deviation of the magnetic field rotation plane from the plane of sensing element as well as misorientation of the last from the (111) plane a the most significant for the measuring transducer. Conclusions are made about the possibility to eliminate the negative influence of mentioned factors and respective way is proposed.Item Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAG(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.Проаналізовані теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі плівки Cr4+:YAG. Визначено величину тепловиділення в абсорбері при генерації послідовності лазерних імпульсів. На основі числового розв'язку рівняння теплопровідності для різних значень енергії тепловиділення розраховано розподіл температури та проаналізовано вплив неоднорідного нагрівання на параметри модулятора. The heat processes in the Q-switching modulator based on the Cr4+:YAG film are considered. The heat-evolution in the absorber during the laser pulses generation is determined. The temperature distribution and the non-uniform heating influence on the modulator parameters are analyzed by means of the heat conductivity equation numerical solution.Item Експериментальне дослідження доменної структури в епітаксійних плівках залізо-іттрієвого гранату(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Убізський, С. Б.У роботі за допомогою ефекту Фарадея спостерігалася структура магнітних доменів (111)-орієнтованих епітаксійних плівок залізо-іттрієвого гранату, що володіють малою одноосною магнітною анізотропією. Досліджено її особливості в тонких і товстих плівках, поведінку доменної структури під час перемагнічування, а також вплив країв плівки на формування і перемагнічування доменів. Using Faraday effect a structure of magnetic domains was being observed in the (111)-oriented epitaxial yttrium iron garnet films with a low uniaxial magnetic anisotropy. Their peculiarities in thin and thick films are studied as well as the domain structure behavior under magnetization and an influence of film’s edges on the formation and remagnetization of domains.Item Моделювання процесів предачі енергії збудження іонів Yb3+ до іонів домішок у лазерному кристалі(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Мартинюк, Н. В.; Фагундес-Петерс, Д.; Петерман, К.; Убізський, С. Б.; Бурий, О. А.Проаналізовано процеси передачі енергії збудження в лазерному кристалі, активованому іонами Yb3+. Розглядаються три моделі, що містять двочастинкову передачу (від активного центра до домішки), тричастинкову (від двох активних до одного домішкового іона) та двох механізмів одночасно. Для кожного з трьох випадків описано особливості кінетики спонтанної люмінесценції активного іона, а також залежності квантової ефективності від амплітуди імпульсу збудження, що дає змогу за вимірюваннями цих характеристик класифікувати процеси передачі енергії, що відбуваються в кристалі. The excitation energy transfer processes in laser crystals doped with Yb3+ ions are analyzed in this work. Three models are considered including two-particles transfer (from the active center to impurity ion), three-particles cooperative transfer (from two active centers to impurity ion) and the case of both mechanisms simultaneously. Peculiarities of the active ion luminescence decay kinetics as well as a dependence of quantum efficiency on the excitation pulse amplitude are described for each case that allows classifying the energy transfer processes being held in the crystal from measurements of these characteristics.