Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
4 results
Search Results
Item Гетероконтакт Cds – білок на основі електрохімічно синтезованих плівок сульфіду кадмію(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Ільчук, Г. А.; Кусьнеж, В. В.; Українець, В. О.; Охремчук, Є. В.; Кунтий, Орест Іванович; Українець, Н. А.; Ilchuk, G. A.; Kusnezh, V. V.; Ukrainets, V. O.; Ohremchuk, E. V.; Kuntyj, O. I.; Ukrainets, N. A.; Національний університет “Львівська політехніка”Створено гетероконтакт (ГК) CdS/білок електрохімічно осадженої плівки CdS з природним білком та досліджено його електрофізичні (вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики) властивості. Як анод-підкладка для осадження CdS використані металургійний Cd, кадмійована фольга металів Cu, Ni. В порівняльному плані створені і досліджені ГК Cd-CdS/білок, Ni-Cd-CdS/H2O та Cd/білок. Показано, що гетероконтакт електрохімічно синтезованих плівок CdS з природним білком може бути використано як експрес-метод контролю параметрів цих плівок.Item Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.; Національний університет "Львівська політехніка"У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.Item Проектування оптичних резонаторів потужних неперервних лазерів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бондарчук, Я. М.; Петровська, Г. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Запропоновано метод оптимізації конструктивних параметрів оптичних резонаторів потужних лазерів з врахуванням теплових деформацій дзеркал, які виникають внаслідок поглинання частини потужного лазерного випромінювання тонкоплівковим покриттям. Скоректовані радіуси кривизни робочих поверхонь дзеркал для промислових іонних лазерів із дзеркалами з типовим рівнем поглинання. The method of optimization of design data of optical resonators of powerful lasers is offered in view of thermal deformations of mirrors, which arise owing to absorption of a part of powerful laser radiation is thin-film by a covering. Is corrected radiuses of curvature of mirrors for industrial of ion lasers from mirrors with a typical level of absorption.