Browsing by Author "Кость, Я. Я."

Now showing 1 - 20 of 22

Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.
Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметри
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Представлено результати вирощування методом газотранспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів InAs1-XSbX з різним складом InSb: від 2 до 16 моль %. Визначено, що високою рухливістю носіїв заряду до 30000 см2 В-2 характеризуються мікрокристали твердих розчинів складу InAs0,84Sb0,16. Легування оловом мікрокристалів InAs0,84Sb0,16 дає змогу зменшити температурні коефіцієнти сталої Холла та питомого опору порівняно із InSb за збереження високої чутливості до магнітного поля. Одночасно радіаційна стійкість таких кристалів вища за радіаційну стійкість кристалів InAs. Проведені дослідження показали, що кристали твердого розчину InAsSb є перспективними для використання їх як сенсорів магнітного поля в екстремальних умовах. Results of vapor-transport reaction method application for growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals with different InSb inclusion: from 2 mole% to16 mole% are presented in the paper. It has been determined that high charge carrier mobility up to 30000 cm2 V-1 is characteristic to solid solution microcrystals of InAs0,84Sb0,16 composition. Doping of InAs0,84Sb0,16 microcrystals with stannum allows to decrease temperature coefficients of Hall constant and resistivity as compared to InSb maintaining high magnetic field sensitivity. At the same time, radiation hardness of such crystals is higher than radiation stability of InAs crystals. The conducted research has shown that crystals of InAsSb solid solution are perspective for being used as magnetic field sensors in extreme environment.
Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.
Дослідження впливу нейтронного опромінення на мікрокристали InAsSb, вирощені з газової фази
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Большакова, І. А.; Ковальова, Н. В.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі вирощені мікро-кристали InAs та GaAs. Для оптимізації технологічних умов проведено моделювання фізико-хімічних процесів, що відбуваються у системах InAs-HCl та GaAs-HCl, визначені оптимальні температури вирощування мікрокристаліа Проведені дослідження електрофізичних параметрів мікрокристалів lnAs з різним рівнем легування в температурному діапазоні 77-440К. Досліджено вплив опромінення реакторними нейтронами до флюенсу Ф=М015 н*см'2 на електрофізичні параметри мікрокристалів lnAs. Показана можливість створення мікросенсорів магнітного поля на основі мікрокристалів lnAs з початковою концентрацією носіїв заряду п=(2-4)‘1018 см'3. Радіаційна стійкість за таких умов становить 0,3 %. By the method of chemical transport reactions, the InAs and GaAs microcrystals were developed in the chloride system. For the optimization of the technological conditions, the modeling of the physicochemical processes, running in the InAs-HCl and GaAs-HCl systems was performed, and the optimal temperatures for microcrystal growth were determined. The investigation of electro-physical parameters of lnAs microcrystals with the different level of doping in the temperature range of 77-440K were performed. The influence of the irradiation with reactor neutrons on the electro-physical parameters of lnAs microcrystals was investigated up to the fluence of F=M015 H'cm'2. The possibility of the creation of the magnetic field microsensors based on lnAs microcrystals with the initial charge carrier concentration of n=(2-4)*1018 cm'3 is shown. The radiation resistance under such conditions is of 0,3 %.
Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Показана можливість вирощування мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. В інтервалі температур 77–450 К виконано дослідження кінетичних параметрів вирощених мікрокристалів – коефіцієнта Холла, питомого опору і рухливості електронів. Показано, що результати цих досліджень можна узгодити між собою, якщо припустити, що у досліджуваних твердих розчинах ефективна маса вільних носіїв заряду зростає з температурою за степеневим законом m ~ T0,25. Встановлено, що за високих температур в процесах розсіювання вільних носіїв заряду домінують оптичні фонони з деякою добавкою розсіювання на акустичних фононах. Визначена ширина забороненої зони досліджуваних мікрокристалів і оцінено їхній хімічний склад, який відповідав значенню х ≈ 0,15. The possibility of growing InAs1-хSbх solid solution microcrystals with the help of chemical-transport technique in hydrogen chloride atmosphere has been shown. Kinetic parameters of grown microcrystals – Hall coefficient, resistivity, and electron mobility – have been investigated in the temperature range of 77-450 K. It has been demonstrated that the results of these investigations can be agreed with each other, assuming that effective mass of free charge carriers grows with temperature according to power law m ~ T0,25 in solid solutions under research. It has been determined that at high temperatures, in the processes of free charge carrier scattering, optical phonons dominate with some addition of scattering on acoustical phonons. The breadth of band gap in microcrystals under research has been determined, and their chemical composition estimated as the one corresponding to the value of х ≈ 0.1.
Моделювання процесу вирощування мікрокристалів Ge в системі Ge-J2
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Швець, О. Ю.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Моделювання процесів масоперенесення твердих компонентів через газову фазу в системі InAs–Sn–HCl
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Шуригін, Ф. М.; Макідо, О. Ю.; Кость, Я. Я.
Наведено результати термодинамічних розрахунків системи InAs-Sn-HCl, на основі яких було проведено дослідження масоперенесення твердих компонентів через газову фазу. Показано, що для цієї системи можна використати порівняно прості математичні моделі та розрахунки, які досить точно описують реальні процеси, що відбуваються в газовій фазі, а одержані розрахункові дані масоперенесення добре узгоджуються із експериментальними даними сумарного масоперенесення в реальних процесах. Досліджено залежності масоперенесення компонентів системи від температури зони джерела та визначено оптимальну температуру зони джерела для цього процесу. Results of InAs-Sn-HCl system thermodynamic calculations, on the basis of which we carried out the research of solid component mass transfer through vapor phase, are represented. It is demonstrated that relatively simple mathematic models and calculations can be used for this system, and their description of the real processes taking place in the vapor phase is rather accurate. The results of mass transfer calculation data are in accord with the experimental data of the total mass transfer in the real processes. Research into dependencies of the system component mass transfer upon source region temperature has been carried out, and optimal source region temperature for the process has been determined.
Моделювання складу газової фази системи InAs-Sb-HCL для визначення оптимальних умов вирощування мікрокристалів твердого розчину InAsixSbx
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Гумен, І. С.; Копцев, П. С.; Кость, Я. Я.
Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів твердого розчину InAsixSbx. Визначено якісну залежність складу газової фази від технологічних параметрів. Отримані мікрокристали твердого розчину InAsixSbx, експериментальна перевірка підтвердила адекватність моделі. The model of the gas phase for the InAsixSbx solid solution microcrystal growth was presented. The qualitative dependence of the gas phase proportion upon the technological parameters is determined. The microcrystals of the InAsi.xSbx solid solution were obtained and the experimental testing confirmed model adequacy.
Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.
Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.
Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка
Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.
Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з газової фази
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Отримання віскерів антимоніду індію за механізмом пара-рідина-кристал з Ni-каталізатором
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Радіаційна модифікація як засіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпроводниковх матеріалів
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпровідникових матеріалів
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Проаналізовані методи контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів з використанням опромінення високоенергетичними частинками. Визначено, що для контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів групи ІІІ-V, зокрема, InSb, перспективним є використання методу радіаційної модифікації. Наведені результати дослідження впливу радіаційної модифікації на стабілізацію параметрів сенсорів магнітного поля на основі гетероструктур InSb/i-GaAs. Methods applied to alter the parameters of semiconductor materials in controlled fashion using high-energy particle irradiation have been analysed. It has been determined that radiation modification is a method promising for the controlled parameter alteration of III-V group semiconductor materials, notably InSb. Results of the study into the effect exerted by radiation modification on the parameter stabilization observed in InSb/i-GaAs heterostructure-based magnetic field sensors are presented.
Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge-I2
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.
Термодинамічний аналіз складу газової фази системи InAs-GaAs-HCI
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Технологічні аспекти використання механізму пара-рідина-кристал для вирощування напівпровідникових віскерів
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Кость, Я. Я.; Большакова, І. А.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.; Стецко, Р. М.
Технологія вирощування віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs з різним складом та дослідження їхніх електрофізичних властивостей
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Стецко, Р. М.; Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.