Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
10 results
Search Results
Item Осциляції магнітоопору ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Павловський, І. В.; Ховерко, Ю. М.; Druzhinin, A. A.; Maryamova, I. I.; Pavlovskyy, I. V.; Khoverko, Yu. M.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”Виявлено та експериментально досліджено магнітофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнітоопору в сильно легованих ниткоподібних кристалах (НК) Ge n- і p-типу провідності в інтервалі температур 4,2–70 К в магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Досліджено вплив одновісної деформації та розігріву газу носіїв заряду на характер магнітофононних осциляцій магнітоопору. Розраховано ефективні маси електронів та легких дірок на основі експериментальних даних дослідження поперечного магнітоопору.Item П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Лавитська, О. М.; Кутраков, О. П.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”Описано розроблені напівпровідникові тензорезистори на основі вирощених з газової фази ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, германію і сполук А В (антимоніду галію, арсеніду галію, фосфіду галію) та наведено їх характеристики. Розглянуто деякі типи розроблених п’єзорезистивних сенсорів тиску з тензо-резисторами на основі НК кремнію, зокрема, сенсори для вимірювання пульсацій тиску, сенсори з універсальним тензомодулем, високотемпературні сенсори, сенсори для кріогенних температур, для медичної діагностики, а також сенсори гідростатичного тиску на основі НК GaSb. Подано мікроелектронні сенсори тиску на основі шарів полікремнію-на-ізоляторі, рекристалізованих лазерним опроміненням. 35. Developed semiconductor strain gauges based on silicon, germanium and AB compounds (GaSb, GaAs, GaP) whiskers grown from the vapour phase are described, and their perfomance are presented. Some types of developed pressure sensors with strain gauges based on Si whiskers are presented, i.e. sensors to measure pressure pulsation, sensors with universal strain unit, high-temperature sensors, sensors for cryogenic temperatures, sensors for medical diagnostics, and sensors to measure hydrostatic pressure based on GaSb whiskers. Microelectronic sensors based on laser-recrystallized polysilicon layers-on-insulator are described.Item Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.Item Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Дружинін, А. О.; Большаковa, І. А.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Лях-Кагуй, Н. С.Проведено дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2 – 77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза як в поперечному, так і в поздовжньому магнітоопорі, визначено період осциляцій 0,1 Тл-1, ефективну циклотронну масу електронів mс » 0,14mо, концентрацію носіїв заряду 2,3´1017 см-3, фактор g* » 30 та температуру Дінгла ТD= 14,5 К. The study of the magnetoresistance in InSb whiskers with impurity concentration in the vicinity to the metal-insulator transition at low temperature range 4.2 – 77 K in fields with induction up to 14 T was conducted. The presence of Shubnikov-de Haas oscillations in both transverse and longitudinal magnetoresistance was observed. The following parameters of InSb whiskers were defined: period of oscillations 0,1 Т-1, cyclotron effective mass of electrons mс » 0,14mо, concentration of charge carriers 2,3´1017 сm-3, g-factor g* » 30 and Dingle temperature ТD = 14.5K.Item Eлектричні характеристики ниткоподібних кристалів кремнію в околі переходу метал-діелектрик(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.Досліджено люмінесценцію дистильованої води з різним вмістом газів та хімічно активних радикалів. Встановлено, що люмінесценція зумовлена низкою процесів: випромінюванням електронно-збудженого радикалу ОН●, продуктів реакції іонів та радикалів з синглетним киснем O2(a1Δg), випромінюванням димера з молекул O2(a1Δg), дезактивацією коливально-збудженої Н2О, неконтрольованими органічними домішками. Зростання вмісту газів збільшує інтенсивність люмінесценції води. Імовірною причиною цього є специфічні властивості межі розділу фаз вода-газова суміш. The luminescence of distilled water with different content of gases and chemically active radicals was investigated. Its was established that luminescence is caused by several processes: radiation of electron-excited radical ОН●, reaction products of ions and radicals from singlet oxygen O2(a1Δg), emission from the dimer molecules O2(a1Δg), deactivation vibrationallyexcited Н2О, uncontrollable organic impurities. Increase in gas content increases the luminescence intensity of water. The probable reason for this is the specific properties of the interfacial water-gas mixture.Item Електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів кремнію(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si з діаметрами 5–40 мкм, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-ізолятор (ПМД), у температурному інтервалі 4,2–300 К, частотному діапазоні 1–1×106 Гц та сильних магнітних полях до 14 Тл виявлено від’ємний магнетоопір (ВМО) у поперечному магнітному полі, абсолютна величина якого залежить від їх діаметра. На основі дослідження кристалів методом імпедансної спектроскопії визначено концентрації домішок у кристалах, які становлять 5,0×1018 см-3. та 5,2×1018 см-3 для зразків різного діаметра, що пояснює виявлені відмінності електропровідності зразків. Conductance investigations of Si whiskers with diameters 5-40 mkm doped with B impurity to concentration in the vicinity to metal-insulator transition (MIT) in temperature range 4,2¸300 К, frequency range 1¸1×106 Hz and magnetic fields with intensity up to 14 Т have showed negative magnetoresistance in transverseve magnetic field, value of which is dependent of the whisker diameter. Impedance investigations allowed us to determine the whisker concentrations of about of 5,0×1018 сm-3. and 5,2×1018 сm-3 in the samples of various diameters, which is correspondent on the observed differences in the whisker conductance.Item Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мар’ямова, І. Й.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кутраков, О. П.; Когут, І. Т.; Лях-Кагуй, Н. С.Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.Item Ефект п’єзо-зеєбека в кремнії р-типу(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.Представлені результати експериментальних досліджень ефекту Зеєбека під впливом деформації в кремнії р-типу. Леговані бором кремнієві мікрокристали вирощені з газової фази в поздовжньому [111] напрямку були використані для вимірювань як модельний матеріал. Отримане значення 40...50 поздовжнього коефіцієнта еласто-Зеєбека для кристалів кремнію р-типу з питомим опором ρ≈ 0,02 Ω×cm добре узгоджується з теоретичними оцінками. Порівняно ефект п’єзо-Зеєбека і п’єзорезистивний ефект для цих кристалів. Значення коефiцiєнта п'єзо-Зеєбека (еласто-Зеєбека) є в два рази меншим, нiж поздовжнiй коефіцієнт п'єзоопору (еластоопору) в цих кристалах. The results of experimental investigation of Seebeck effect under strain in p-type silicon are presented. Boron doped silicon microcrystals grown from the vapour phase with the longitudinal [111] crystallographic axes were used for measurements as a model material. The obtained value 40...50 of the longitudinal elasto-Seebeck coefficient for p-type Si crystals with ρ≈ 0,02 Ω×cm is in a good agreement with theoretical estimation. The comparison of piezo-Seebeck effect and piezoresistance effect in these crystals is carried out. The value of longitudinal piezo-Seebeck (elasto-Seebeck) coefficient is approximetely two times smaller,than the longitudinal piezoresistance coefficient (elastoresistance) in these crystals.Item Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Нічкало, С. І.Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.Item Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних кні-структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Дружинін, А. О.; Голота, В. І.; Когут, І. Т.; Ховерко, Ю. М.Запропоновано два методи формування локальних тривимірних структур кремній-на-ізоляторі (КНІ). Перший – на основі стимульованого бокового епітаксійного нарощування та планаризації монокристалічної плівки кремнію. Другий – на основі локального термічного окислення кремнію під поверхнею пластини через горизонтальні тунелі. Одержані КНІ-структури використані в технології виготовлення базового матричного кристала (БМК) для побудови мікросистем. Запропоновано в склад елементів БМК долучити матриці з комірок автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування. Розроблено технологію виготовлення і топологію комірки автоемісійного мікрокатода з керуючим високовольтним КНІ метал-окисел-напівпровідниковим транзистором. Виконано комп’ютерне моделювання статичних характеристик такого транзистора. The two methods of silicon-on-insulator (SOI) local three-dimensional structures formation are proposed. The first one is based on stimulated lateral epitaxial growth and planarization of Si monocrystal film. The second one is based on local thermal oxidation of Si buried layer through horizontal tunnels. Obtained SOI-structures are used as a base of matrix crystal fabrication technology for construction of micro-systems. It is proposed to unite cells of field emission micro-cathodes with control circuits in a structure of base of matrix crystal elements. The fabrication technology and layout of a field emission micro-cathode cell with control high-voltage SOI MOS-transistor developed. Computer simulation of static characteristics of high-voltage SOI MOS-transistor performed.