Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
36 results
Search Results
Item Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О.; Malyk, O.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityРозглянуті моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими та нейтральними домішками в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) . Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300 К .Item Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.Item Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.Item Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. ФранкаДосліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.Item Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.Item Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Островський, І. П.; Павловський, Ю. В.; Tsmots’, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Ostrovskii, I. P.; Pavlovskii, Yu. V.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними. Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.Item Нестійкість металевої підгратки SnTe(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Хандожко, О. Г.; Слинько, Є. І.; Khandozhko, O. G.; Slynko, E. I.; Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича; Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН УкраїниВстановлена залежність ширини і форми ліній ЯМР від концентрації дірок в SnTe. В області концентрацій p<1,8∙1020см-3 спостерігається різке звуження ліній 119Sn і 125Te та ускладнення їхньої форми. Поява в спектрах ЯМР 119Sn лоренцової складової вказує на “розм'якшення” металевої підґратки внаслідок рухливості атомів олова.Item Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Єрохов, В. Ю.; Yerokhov, V. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”Показана перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті моделі текстур як найважливіших структурних елементів ФЕП. Охарактеризовані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей з використанням макропористих кремнієвих текстур. Застосування текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, з використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). При використанні макропористого кремнію, вирощеного хімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП в діапазоні 400–1000 нм зменшується до 17 %Item Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Малик, О. Л.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехника”Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.Item Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини.