Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
16 results
Search Results
Item Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. ФранкаДосліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.Item Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Шуригін, Ф. М.; Ковальова, Н. В.Досліджено вплив електронного опромінення при 300К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Отримано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорюються особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb. The investigation of the electron irradiation effect on the parameters of thin film and monocrystalline microsensors based on the doped InSb was performed at 300K. The dependence of the charge carrier concentration relative change on initial concentration and irradiation dose in the material under investigation was obtained under the electron irradiation. The peculiarities of the variations in the thin film and monocrystalline microsensors’ parameters under irradiation were discussed. By means of the isochronous annealing the stability of radiation defects in InSb was studied.Item Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.Проаналізовані проблеми створення гальваномагнітних 3-D сенсорів, які здатні вимірювати три складові BX, BY, BZ вектора індукції магнітного поля. Такі сенсори передбачають використання структур на основі технології кремнієвих інтегральних схем. Їх проблемою є низька радіаційна та температурна стійкість. Запропоновано нову конструкцію 3-D сенсора, який виготовляється мезатехнологією на тонких плівках напівпровідників групи A3B5, що забезпечує здатність його функціонування в екстремальних умовах експлуатації. Наведений аналіз параметрів експериментальних зразків тонкоплівкових 3-D сенсорів. The problems of galvanomagnetic 3-D sensors development, which provide a possibility of three magnetic field induction components BX, BY, BZ measurements, are analyzed. Such sensors demand the structures on the base of silicon integrated circuits technologies. The problem is low radiation and temperature stability of such structures. New 3-D sensor construction, which is formed on the base of A3B5 semiconductor group thin-film technology, is proposed. Such sensor provides performance ability in extreme conditions. Parameters of 3-D sensor tentative samples are analyzed.Item Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Большакова, І. А.; Ковальова, Н. В.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі вирощені мікро-кристали InAs та GaAs. Для оптимізації технологічних умов проведено моделювання фізико-хімічних процесів, що відбуваються у системах InAs-HCl та GaAs-HCl, визначені оптимальні температури вирощування мікрокристаліа Проведені дослідження електрофізичних параметрів мікрокристалів lnAs з різним рівнем легування в температурному діапазоні 77-440К. Досліджено вплив опромінення реакторними нейтронами до флюенсу Ф=М015 н*см'2 на електрофізичні параметри мікрокристалів lnAs. Показана можливість створення мікросенсорів магнітного поля на основі мікрокристалів lnAs з початковою концентрацією носіїв заряду п=(2-4)‘1018 см'3. Радіаційна стійкість за таких умов становить 0,3 %. By the method of chemical transport reactions, the InAs and GaAs microcrystals were developed in the chloride system. For the optimization of the technological conditions, the modeling of the physicochemical processes, running in the InAs-HCl and GaAs-HCl systems was performed, and the optimal temperatures for microcrystal growth were determined. The investigation of electro-physical parameters of lnAs microcrystals with the different level of doping in the temperature range of 77-440K were performed. The influence of the irradiation with reactor neutrons on the electro-physical parameters of lnAs microcrystals was investigated up to the fluence of F=M015 H'cm'2. The possibility of the creation of the magnetic field microsensors based on lnAs microcrystals with the initial charge carrier concentration of n=(2-4)*1018 cm'3 is shown. The radiation resistance under such conditions is of 0,3 %.Item Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.Досліджено вплив легуючих домішок Sn, Al, Cr та їх комплексів Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr на температурні залежності сталої Холла, питомої електропровідності та рухливості електронів у мікрокрислалах InSb, вирощених методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодинній системі. Показано, що результат дії окремо взятої легуючої домішки. У дослідженій системі це приводить до того, що внаслідок комплексного легування можуть змінюватися макроскопічні параметри мікрокристалів, зокрема, їх ширина забороненої зони навіть за таких концентрацій домішок, які самостійно аналогічних змін не викликають. Influence of the Sn, Al, Cr doping impurities and their Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr complexes on the temperature dependence of Hall constant, electric conductivity and electron mobility in the microcrystals grown by means of chemical transport reactions in the close-tube iodide system is investigated. It's shown that one particular doping impurity effect result depends on the presence of another doping impurity in the vapor phase. In the system under investigation this causes change of macroscopic macrocrystal parametrs, gap energy among their number, even at such doping concentrations which singly do not cause corresponding changes.Item Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.Item Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb від температури опромінення. Наведені результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показані особливості поведінки параметрів сенсорів на основі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами. The dependence of parameter stability for InAs- and InSb-based film sensors of magnetic field from irradiation temperature has been investigated. Results of the research into the effect of neutron spectrum on the value of sensitivity change for sensors are presented. Features of parameter behaviour for sensors on the basis of multilayer heterostructures irradiated with electrons and reactor neutrons are shown.Item Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.Item Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.