Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
11 results
Search Results
Item Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.Item The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.Item Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Кеньо, Г. В.; Малик, О. П.; Національний університет “Львівська політехніка”Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.Item Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Точним розв’язком стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду. В інтервалі температур 4,2-300 К розглянуто основні механізми розсіювання дірок з врахуванням непружної взаємодії дірок з оптичними коливаннями кристалічної ґратки. By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2-300 K the main hole scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic hole interaction with optical vibrations of the crystall lattice.Item Непружне розсіювання електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки в твердому розчині(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Малик, О. П.Запропонована модель непружного розсіяння електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки, в якій ймовірність розсіяння не залежить від макроскопічного параметра - діелектричної проникності кристала. Розглянута модель дає добре узгодження між теорією та експериментом в інтервалі температур 120 - 300 К. A model of inelastic electron scattering on the polar optical vibrations of the crystal lattice is proposed in which the scattering probability does not depend on macroscopic parameter, the crystal permittivity. The reviewed model yields the good agreement between the theory and experiment in temperature range 120 - 300 K.Item Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.Item Побудова точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Собчук, І. С.Запропоновано метод побудови сукупності точних розв’язків стаціонарного рівняння Больцмана для однорідного напівпровідника з ізотропним законом дисперсії у випадку ефекту Холла та електропровідності. Визначено критерій відбору фізичних розв’язків серед сукупності математичних розв’язків рівняння Больцмана. The way of construction of totality of the exact solutions of a stationary Boltzmann equation for the homogeneous semiconductor with the isotropic dispersion law is proposed in case of Hall effect and electrical conductivity. The criterion of selection of the physical solutions from totality of the mathematical solutions of Boltzmann equation is determined.Item Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2007) Малик, О. П.; Собчук, І. С.Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К.Item Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Малик, О. П.Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.Item Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Малик, О. П.Запропоновано близькодіючу модель розсіяння електронів на потенціалі статичної деформації в твердому розчинні CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1). Розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300K. Model of electron scattering on the short-range potential caused by the static strain eld in the solid solution CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) is proposed. The temperature dependences of electron mobility in the range 4:2 ¡ 300K are calculated.