Електроніка

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523

Browse

Author: search.filters.author.Большакова, І. А.

Search Results

Now showing 1 - 10 of 27
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка
    Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.
  • Thumbnail Image
    Item
    Гальваномагнітні пристрої для реакторів термоядерного синтезу: основні підходи. Огляд
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Bolshakova, I. A.; Holyaka, R. L.; Yerashok, V. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія магнітних сенсорів, Центр “Кристал”
    Аналізуються проблеми вимірювання магнітного поля в реакторах термоядерного синтезу з магнітним утриманням плазми (типу ТОКАМАК). Показано, що нове покоління ректорів термоядерного синтезу потребуватиме апаратури для діагностики магнітного поля, яка відповідає критеріям довготривалої експлуатації в екстремальних умовах експлуатації. Розглянуто принципи побудови такої апаратури, нові конструкції інтегрованих перетворювачів, елементну базу схем обробки сигналу тощо. Наведено результати виконаних в кінці 2004 року експериментів з вимірювання магнітного поля в реакторі TORE SUPRA (Кадараш, Франція).
  • Thumbnail Image
    Item
    Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовах
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Керівник Лабораторії магнітних сенсорів Центру “Кристал”
    Представлений неперервний ряд досліджень із створення оригінальних магнітовимірювальих засобів: теоретичні та експериментальні дослідження технології вирощування та легування напівпровідникових кристалів А3В5, дослідження їх електрофізичних властивостей та радіаційної стійкості, створення на їх основі мікросенсорів магнітного поля та магнітовимірювальних приладів, використання їх в техніці, космосі та устаткуванні фізики високих енергій. Presents continuous set of investigations and works on creation of original magnetic measurement facilities: theoretical and experimental investigations of A3B5 semiconductor crystal growth and doping technology, investigations of their electrophysical properties and radiation resistance, creation of magnetic field microsensors and measuring devices, their application in technique, outer space and high energy physics equipment.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Большакова, І. А.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Для підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 ТА InAs-Sn-J2
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Большакова, І. А.; Воронін, В. О.; Копцев, П. С.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.
    Комп'ютерним моделюванням досліджено рівноважний склад газової фази систем InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 в температурному діапазоні 650^1200 K. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонент газової фази. Встановлено вплив домішки олова на рівноважний склад газової фази. Equilibrium composition of InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 system gas phases was investigated by means of computer modeling within the temperature range of 650^1200 K. Quantitative calculation was carried out of the partial pressures of gas phase components. Tin doping influence upon equilibrium composition of gas phase was defined.
  • Thumbnail Image
    Item
    Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Шуригін, Ф. М.; Ковальова, Н. В.
    Досліджено вплив електронного опромінення при 300К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Отримано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорюються особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb. The investigation of the electron irradiation effect on the parameters of thin film and monocrystalline microsensors based on the doped InSb was performed at 300K. The dependence of the charge carrier concentration relative change on initial concentration and irradiation dose in the material under investigation was obtained under the electron irradiation. The peculiarities of the variations in the thin film and monocrystalline microsensors’ parameters under irradiation were discussed. By means of the isochronous annealing the stability of radiation defects in InSb was studied.
  • Thumbnail Image
    Item
    Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.
    Проаналізовані проблеми створення гальваномагнітних 3-D сенсорів, які здатні вимірювати три складові BX, BY, BZ вектора індукції магнітного поля. Такі сенсори передбачають використання структур на основі технології кремнієвих інтегральних схем. Їх проблемою є низька радіаційна та температурна стійкість. Запропоновано нову конструкцію 3-D сенсора, який виготовляється мезатехнологією на тонких плівках напівпровідників групи A3B5, що забезпечує здатність його функціонування в екстремальних умовах експлуатації. Наведений аналіз параметрів експериментальних зразків тонкоплівкових 3-D сенсорів. The problems of galvanomagnetic 3-D sensors development, which provide a possibility of three magnetic field induction components BX, BY, BZ measurements, are analyzed. Such sensors demand the structures on the base of silicon integrated circuits technologies. The problem is low radiation and temperature stability of such structures. New 3-D sensor construction, which is formed on the base of A3B5 semiconductor group thin-film technology, is proposed. Such sensor provides performance ability in extreme conditions. Parameters of 3-D sensor tentative samples are analyzed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індію
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Большакова, І. А.; Ковальова, Н. В.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
    Методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі вирощені мікро-кристали InAs та GaAs. Для оптимізації технологічних умов проведено моделювання фізико-хімічних процесів, що відбуваються у системах InAs-HCl та GaAs-HCl, визначені оптимальні температури вирощування мікрокристаліа Проведені дослідження електрофізичних параметрів мікрокристалів lnAs з різним рівнем легування в температурному діапазоні 77-440К. Досліджено вплив опромінення реакторними нейтронами до флюенсу Ф=М015 н*см'2 на електрофізичні параметри мікрокристалів lnAs. Показана можливість створення мікросенсорів магнітного поля на основі мікрокристалів lnAs з початковою концентрацією носіїв заряду п=(2-4)‘1018 см'3. Радіаційна стійкість за таких умов становить 0,3 %. By the method of chemical transport reactions, the InAs and GaAs microcrystals were developed in the chloride system. For the optimization of the technological conditions, the modeling of the physicochemical processes, running in the InAs-HCl and GaAs-HCl systems was performed, and the optimal temperatures for microcrystal growth were determined. The investigation of electro-physical parameters of lnAs microcrystals with the different level of doping in the temperature range of 77-440K were performed. The influence of the irradiation with reactor neutrons on the electro-physical parameters of lnAs microcrystals was investigated up to the fluence of F=M015 H'cm'2. The possibility of the creation of the magnetic field microsensors based on lnAs microcrystals with the initial charge carrier concentration of n=(2-4)*1018 cm'3 is shown. The radiation resistance under such conditions is of 0,3 %.