Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
14 results
Search Results
Item Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.Item Кристалічна та доменна структура рідкісноземельних галатів і алюмінатів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Савицький, Д. І.; Берковський, М.; Бісмайєр, У.; Сольський, І. М.; Вальрафен, Ф.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут Фізики Польської Академії Наук; Гамбурзький Університет; НВП “Карат”; Боннський УніверситетДосліджено кристалічні структури та термічне розширення рідкісно-земельних галатів і алюмінатів та твердих розчинів на їх основі в інтервалі температур 10.. .1300 К. Встановлено загальні закономірності двійникування в кристалах зі структурою типу GdFeO3. Результати можуть бути використані для пошуку нових підкладкових матеріалів для ВТНП плівок та плівок манганітів з магніто- резистивним ефектом. The crystal structures and thermal expansion of rare-earth gallates and aluminates and their solid solutions were investigated in the temperature range 10 K - 1300 K. General rules of twinning were established for the crystal with GdFeO3 type structure. The results can be applied for search of new substrate materials for HTSC films and manganite films with colossal magnetoresistance.Item Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.Item Термічне розширення кристала La0.92 Sr0.08 Ga0.92Ti0.08О3(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.Методом порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного та рентгенівського випромінювання досліджено термічне розширення кристала La0.92Si0.08Ga0.92Ti0.08O3 (LSGT-8) в великому температурному діапазоні від 12 К до 1203 К. Встановлено, що при температурі Тс~ 303 К відбувається фазовий перехід першого роду з орторомбічної (Ор) структури (просторова група Pbnm, Z= 4) в ромбоедричу (Рд) (просторова група R-3c, Z= 6), який супроводжується зменшенням наведеного об’єму елементарної комірки (AV = -0.09 %). Уточнено параметри елементарних комірок та координати атомів низькотемпературної та високотемпературної фаз у цілому досліджуваному температурному інтервалі. Показано, що термічне розширення структури LSGT-8 має нелінійний та анізотропний характер. Проаналізовано температурні залежності міжатомних віддалей та параметрів деформації перовськітної структури. Thermal expansion of La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.0sO3 (LSGT-8) crystal has been investigated by means of in situ high resolution powder diffraction technique using synchrotron and X-ray radiation in a wide temperature range 12 K-1203 K. The first order phase transition from orthorhombic (space group Pbnm, Z= 4) to rhombohedral structure (space group R-3c, Z= 6) occur around the room temperature (7c = 303 K), which is accompanied with a decreasing of the cell volume (AV= -0.09 %). Lattice parameters and atomic coordinates of low- and high- temperature phases have been refined in the whole temperature range investigated. It was shown, that thermal expansion of LSGT-8 structure displays nonlinear and anysotropic behavior. Analysis of the temperature dependencies of the interatomic distances and perovskite structure deformation parameters has been performed.Item Термічне розширення орторомбічних перовськітів RGaO3 (R=La-Gd)(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Сенишин, А. Т.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.Методом статичної мінімізації енергії комірки, побудованої з парних взаємодій та на основі квазігармонійного наближення, реалізованого в програмному коді GULP, досліджені та передбачені діелектричні властивості, густина матеріалу р , модулі стиску К та зсуву G , температура Дебая 6D, теплоємність &, параметр Грюнайзена у та коефіцієнт термічного розширення а для перовськітів (R=La-Gd) включно з PmGaOj. З аналізу загальної фононної густини станів та її проекцій встановлено, що RGaOj (R=La, Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd) подібно до Ndo/jsSmiusGaOj та MgSiOj не є дебаївськими кристалами. Рідкісноземельний атом, галій та кисень домінують у різних частотних діапазонах фононного спектра. Зі зростанням атомного номера R3 діапазон домінування зміщується в низькочастотну область фононного спектра, що зумовлює спадання коефіцієнта термічного розширення в ряді LaGaOj - GdGaOj. Встановлено, що RGaOj (R=La-Gd) та їх тверді розчини з середнім іонним радіусом R3+ (КЧ=9 в шкалі Шеннона) меншим за ~1.177 А можуть бути синтезовані без двійникіа 3 іншого боку, для галатів РЗЕ з середнім іонним радіусом R3+, меншим за ~1.156 А, зростає ймовірність наявності інших фаз. The dielectric properties, the density of material р , the bulk К and shear G modules, the Debye temperature 6D, the heat capacity &, the Gruneisen parameter у and the thermal expansion coefficient a of RGaOj (R=La-Gd) incl. PmGaOj were investigated using the quasiharmonic lattice dynamics based on the free lattice energy minimisation constrained on derived pairwise interactions using the GULP code. By studying the total phonon density of states (DOS) and its projections onto atomic species it was concluded that RGaQ? (R=La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd) similarly to до Ndo.TsSmojsGaOj and MgSi03 cannot be considered as a good Debye-like solids. The rare earth, gallium and oxygen atoms dominate in different frequency regions of the phonon spectrum. With increasing of the R34" atomic number the R3+ contribution region to the total DOS has been shifted to the low-frequency part causes the decreasing of the thermal expansion coefficient in the series LaGaQ? - GdGaOj.lt was concluded that RGaOj (R=La-Gd) and its solid solutions with average R3+ ionic radii in Shannon’s 9-fold coordination number scale smaller ~1.177 A could be synthesized without micro-twins. But from other side, for compounds with average R34^ ionic radii smaller ~1.156 A the presence of the foreign phases is probably.Item Центри забарвлення в кристалах YAІ03(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Жидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.Наведені результати комплексного дослідження центрів забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськіту (YAlOj), яке містить встановлення взаємозв’язку ростового забарвлення кристалів з технологічними умовами їх одержання, дослідження радіаційно- і термоіндукованих змін оптичних властивостей як номінально чистих, так і легованих кристалів YAlOj, з метою розуміння природи ростового та індукованого забарвлення цих кристалів. The paper presents results of the complex study of color centers in yttrium-aluminum perovskite (YAlOj) crystals. The study includes an establishing of correlation between growth coloration of the crystals and technological parameters of crystal growth. It includes also investigation of changes of optical properties stimulated by radiation and temperature in pure and doped YAIO3 crystals with the purpose to understand nature of the growth and induced coloration of the crystals.Item Двійникова структура кристалів La0.95 Sr0.05 Ga0.9 Mg0.1 O2.925(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Савицький, Д. І.; Матковський, А. О.Двійникова структура кристала La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O2.925 була досліджена методом Лауе в діапазоні температур 300-1000 К. У зразку виявлено характеристичне двійникування, яке зумовлює розщеплення брегівських рефлексів на лауеграмах. Рефлекси від усіх доменів були проіндексовані кожен зокрема. Характеристична двійникова структура в орторомбічній, як і в тригональній фазах кристала складається з чотирьох різних доменних станів. В обох фазах доменні стінки формують "стільникову" структуру з границями, паралельними до осі перовськітоподібної комірки, що дозволяє співіснування чотирьох доменних станів без напружень в обох сегнетоеластичних фазах. Температурне нагрівання через точку фазового переходу продемонструвало реверсивність цієї "стільникової" доменної структури. The investigation of twin structure in La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O2.925 perovskite-type crystal has been undertaken using the technique of white beam x-ray Laue diffraction in 300-1000 K temperature range. The sample show definite twinning which reflect in the Laue patterns as apparent splitting of the peaks. Reflections from the different domains were indexed separately. Investigations of the twin structure in orthorhombic as well as in trigonal phases revealed that the system is composed of four different domain states. In both phases domain walls form "honeycombed" structure with boundaries parallel to the axes of the perovskite-like cell. It hence allows for a stress-free intergrowth of four domain states in both ferroelastic phases. Temperature cycling through the orthorhombic - trigonal - orthorhombic phases demonstrated that the "honeycombed" domain structures occur in reversible manner.Item Моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, O. A.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.Розглянуті монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та іттербіем (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогою епітаксійно нарощеного шару Cr4+:YAG. Визначаються оптимальні з погляду досягнення максимальної енергії в лазерному ім¬пульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера (товщини абсорбера та кон¬центрації фототропних центрів Сг4+) та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала Об¬грунтована можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні як генеруючого середовища кристала Yb:YAG порівняно із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.Item Кристалічні структури та фазові перетворення в алюміната Х РЗЕ зі структурою перовськіту(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.Методами in situ низько- та високотемпературної порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного випромінювання, монокристальної диф¬ракції та термічного аналізу досліджено кристалічні структури та фазові перетворення в алюмінатах рідкісноземельних елементів (РЗЕ) зі структурою перовськіту та деяких твердих розчинів на їх основі. При кімнатній температурі сполуки RA103 мають ромбоедричну, R-Зс (R = La, Pr, Nd), ромбічну, Pbnm (R = Sm -j- Lu, Y) та тетрагональну, 14/mcm (СеАЮз) структури. Серед досліджених алюмінатів РЗЕ спостерігається шість типів структурних фазових перетворень (ФП). Для перших членів ряду сполук RAlOj (R-La, Се, Pr, Nd) характерним є плавний перехід R-Зс - Рт-Зт, тоді як в алюмінатах Sm, Gd та Eu відбувається стрибкоподібний перехід першого роду Pbnm - R-3c. Температури обидвох цих переходів зростають лінійно із зменшенням радіуса катіона РЗЕ. Чотири інші ФП (R-Зс - Ітта, Ітта -14/піст, Ітта - І2/т{С2/т) та 12!т -14/піст) трапляються тільки в СеАЮз та РгАЮз, а також в твердих розчинах на їх основі. Побудовано узагальнену фазову діаграму алюмінатів РЗЕ зі структурою перовськіту. Crystal structures and phase transitions of the perovskite-like RAlOj aluminates and some solid solutions based on them have been investigated by means of/я situ high-resolution powder diffraction technique using synchrotron radiation, single crystal diffraction and thermal analysis. At room temperature the RAIO3 compounds display rhombohedral, R-3c (R=La, Pr, Nd), orthorhombic, Pbnm (R=Sm-j-Lu, Y) and tetragonal, 14lmcm (СеАЮз) structures. Six types of the phase transitions exist in the RAIO3 compounds. Second-order phase transition R-3c - Pm-3m is typical for the first members of RAIO3 compounds (R-La, Ce, Pr, Nd), and First-order transformation Pbnm - R-Зс is observed for SmA103, GdA103 and EuA103. The temperatures of these transitions increase linearly with the decreasing of R3 cation radii. Four other phase transitions: R-3c - Ітта, Imma - 14/mem, Imma -12/m(Cl/m) and 12/m-14/mem have been found only in СеАЮ3, РгАЮ3 and solid solutions based on them. The common phase diagram of the rare-earth aluminates with perovskite structure has bee constructed.Item Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Бурий, O. A.; Потера, П.; Матковський, А. О.Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.